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物理量
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数值
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备注
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晶体结构
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正交晶系
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晶胞参数
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a ≈ 12.82 Å, b ≈ 6.404 Å, c ≈ 10.616 Å
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熔点
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~1172 °C
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莫氏硬度
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~5 Mohs
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密度
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~3.0 g/cm³
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热导率
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κ₁₁ ≈ 3.3 W/m/K, κ₂₂ ≈ 3.4 W/m/K, κ₃₃ ≈ 2.5 W/m/K
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Z方向热导率最低,是热效应的主要方向。
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热膨胀系数
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α₁₁ ≈ 11.8 x 10⁻⁶ /K, α₂₂ ≈ 9.5 x 10⁻⁶ /K, α₃₃ ≈ 0.6 x 10⁻⁶ /K
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SHG相位匹配范围
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~0.53 - 4.0 μm (I类 & II类)
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热光系数
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dn₃/dT ≈ 14.7 x 10⁻⁶ /K, dn₁/dT ≈ 6.0 x 10⁻⁶ /K
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体吸收系数
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< 0.1 %/cm @ 1064 nm
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KTF的核心优势之一,极低的吸收适用于高功率应用。
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接收角 (孔径角)
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~ 25 mrad·cm (II类, 1064nm SHG)
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温度带宽
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~ 25 °C·cm (II类, 1064nm SHG)
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接收谱宽
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~ 6.5 cm⁻¹·cm (II类, 1064nm SHG)
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走离角
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~ 0° (II类 NCPM, 1064nm SHG)
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非临界相位匹配(θ=90°)时无走离角,这是其巨大优势。临界匹配时存在走离。
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非线性光学系数
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d₃₃ ≈ 14.7 pm/V,
d₃₂ ≈ 4.7 pm/V, d₃₁ ≈ 2.6 pm/V, d₂₄ ≈ 3.6 pm/V |
较大的非线性系数,是高效频率转换的基础。
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非零d系数
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d₁₅, d₂₄, d₃₁, d₃₂, d₃₃
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在mm2点群中,共有5个独立的非零非线性光学张量元。
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电光系数
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r₃₃ ≈ 36.3 pm/V, r₂₃ ≈ 15.7 pm/V, r₁₃ ≈ 9.5 pm/V
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较大的线性电光系数,可用于制造调制器、Q开关等。
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半波电压 (Vπ)
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~ 1.5 - 3.0 kV (取决于几何尺寸和方向)
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施加在电光器件上使相位延迟达到π所需的电压。
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电阻率
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~ 10¹² - 10¹⁵ Ω·cm (各向异性)
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相对介电常数
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ε₁₁/ε₀ ≈ 13, ε₂₂/ε₀ ≈ 13, ε₃₃/ε₀ ≈ 28 (@ 1kHz)
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各向异性。Z轴方向的介电常数最高。
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指标项
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具体参数
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材料
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KTF
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相位匹配
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II类非临界相位匹配,θ=90°±0.1°, φ=23.5°±0.1°
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波前畸变
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< λ/8 @ 632.8 nm
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晶体尺寸
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3x3x5 mm, 4x4x7 mm, 5x5x10 mm (LxWxH) 可接受定制
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尺寸公差
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(W±0.1mm)×(H±0.1mm)×(L+0.5/-0.1mm) 可接受定制
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平行度
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20″
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垂直度
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≤15′
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平面度
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λ/8 @ 633 nm
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光洁度
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10-5 (MIL-PRF-13830B)
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倒边
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≤0.2mm×45°
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通光孔径
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> 95% 中心区域
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涂层
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双波段增透膜:Ravg<0.1% @1064nm & Ravg<0.15% @532nm
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体吸收系数
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< 0.1% /cm @ 1064nm
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抗激光损伤阈值
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> 2.0 J/cm² (10ns, 10Hz, @1064nm, Φ0.5mm)
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保质期
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12 个月(须在干燥(湿度<20%RH)、无尘、避光、室温环境下密封保存)
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