CLBO 晶体

技术参数

特殊规格可根据客户需求定制

我司可提供生长高质量、大尺寸 CLBO 晶体，通过精准调控晶体生长环境与工艺参数，有效抑制晶体吸湿性影响，减少晶体内部包裹体与应力缺陷，大幅提升晶体的光学均匀性与激光损伤阈值。适用于高功率 Nd:YAG 激光四倍频、五倍频及深紫外激光相关光参量转换等应用。

物理量	数值	备注
晶体结构	四方晶系	/
晶胞参数	a = b = 10.494 Å，c = 8.939 Å（1 Å = 10⁻¹⁰m）	室温
对称性	Z=4
熔点	约 844.5℃	/
莫氏硬度	5.5	/
密度	2.461 g/cm³	室温
导热系数（室温）	1.25 W/m K	室温
透光波段	175 nm~2750 nm	/
损伤阈值	26 GW/cm2
热光系数（室温）	dno/dT=-1.910-6/℃ dne/dT=-0.510-6/℃	室温
吸收系数（室温）	266 nm（紫外）：<0.05 cm⁻¹； 532 nm~1064 nm（可见光 - 近红外）：<0.01 cm⁻¹	/
折光指数	1064nm: ne = 1.4340, no = 1.4838 532nm: ne = 1.4445, no = 1.4971
走离角	1.78°@ 1064 nm，1.83°@ 532 nm，0.98°@ 488 nm	/
角度接收（角度带宽）	约 0.5~1 mrad・cm（以 266 nm 四倍频为例）	/
非线性光学系数	deff（Ⅰ）=d36sinθmsin(2Ф) deff（Ⅱ）=d36sin(2θm)sin(2Ф)	/
Sellmeier 方程（λ 单位：μm）	no2 = 2.2104+0.01018/(λ2-0.01424)-0.01258λ2 ne2 = 2.0588+0.00838/(λ2-0.01363)-0.00607λ2	25℃

CLBO透射光谱

I和II型的相位匹配角随基波波长的变化

一、 半导体领域：CLBO 晶体可实现 193nm 和 266nm 的谐波输出，截止波长低至 180nm，是半导体光刻、半导体检测等领域的理想选择。在半导体光刻中，利用 CLBO 晶体产生的紫外激光可以对芯片进行精细加工，提高芯片的集成度和性能。

二、 材料加工领域：CLBO 晶体具有高损伤阈值与低吸收的特点，无双光子吸收现象，适用于高功率激光系统。源自CLBO 晶体的激光可以执行精细的切割、蚀刻或修改，而不会损坏周围的材料，这种精度在电子等行业中是必不可少的，比如微小电子部件的加工。

三、 生物医学领域：CLBO 晶体产生紫外激光的卓越效率使其在医疗诊断领域有重要应用。紫外激光具有独特的波长，可以更深入地穿透组织，并且清晰度更高，能够提供更清晰、更详细的图像，使诊断更加准确和及时，可用于发现微小肿瘤或检测血管异常等。

四、紫外雷达领域：CLBO 晶体的特性使其适合用于紫外雷达，可用于目标探测、环境监测等方面，利用其产生的紫外激光能够实现更精确的探测和识别。